熱銷產(chǎn)品

三菱NF系列IGBT模塊

性能特點

采用低損耗CSTBT^TM硅片技術(shù)，在溝槽型IGBT的基礎(chǔ)上增加電荷累積層的新結(jié)構(gòu)改善了關(guān)斷損耗(Eoff)和集電極-發(fā)射極間飽和電壓(Vce(sat))的平衡性。
LPT輕穿透型結(jié)構(gòu)用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用，600V芯片是采用PT穿透型結(jié)構(gòu)
額定電流定義比市場上同類產(chǎn)品高一個等級
外形尺寸（安裝螺距，端子間距等）與H系列IGBT完全兼容(僅限2單元模塊)，Rth(j-c)和Rth(c-f)的定義與傳統(tǒng)的H系列相同
低電感封裝，內(nèi)部電感量比較　NF/A:H=1:2
內(nèi)置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小，有最有的ΔT(j-f)性能，比競爭對手高一個等級
通過調(diào)整底板和基板間焊錫的厚度大大改善了溫度循環(huán)能力ΔTc
嵌入單元技術(shù)的使用增加了短路耐量(SCSOA)并降低了柵極容量，從而降低驅(qū)動功率。
高功率循環(huán)能力

應(yīng)用領(lǐng)域

通用變頻器，伺服驅(qū)動器，UPS，特種電源等

封裝尺寸


94mm × 48mm	108mm × 62mm	110mm × 80mm	140mm × 130mm

三菱第五代NF系列IGBT模塊產(chǎn)品型號見下表，歡迎聯(lián)系上海菱端電子有限公司產(chǎn)品咨詢及技術(shù)支持。

IGBT Modules (NF series)

電路拓撲	V_CES(V)	Ic (A)
電路拓撲	V_CES(V)	50A	75A	100A	150A	200A	300A	400A	600A
2 單元	600V				CM150 DY -12NF (43KB)	CM200 DY -12NF (43KB)	CM300 DY -12NF (43KB)	CM400 DY -12NF (43KB)	CM600 DY -12NF (94KB)
2 單元	1200V			CM100 DY -24NF (42KB)	CM150 DY -24NF (42KB)	CM200 DY -24NF (43KB)	CM300 DY -24NF (93KB)	CM400 DY -24NF (94KB)	CM600 DU -24NF (130KB)
6 單元	600V		CM75TL -12NF (50KB)	CM100TL -12NF (51KB)	CM150TL -12NF (51KB)	CM200TL -12NF (51KB)
6 單元	1200V	CM50TL -24NF (50KB)	CM75TL -24NF (50KB)	CM100TL -24NF (50KB)	CM150TL -24NF (51KB)	CM200TL -24NF (51KB)
7 單元	600V		CM75RL -12NF (54KB)	CM100RL -12NF (54KB)	CM150RL -12NF (54KB)	CM200RL -12NF (55KB)
7 單元	1200V	CM50RL -24NF (54KB)	CM75RL -24NF (54KB)	CM100RL -24NF (54KB)	CM150RL -24NF (55KB)	CM200RL -24NF (55KB)

NF系列產(chǎn)品封裝一覽：

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